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化合物半導體成為集成電路產業(yè)新關注點

作者:sdxyx    發(fā)布時間:2022-04-20 09:03:08    瀏覽量:

OFweek電子工程網訊 化合物半導體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統單質的一類半導體材料,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等。相對于硅材料,化合物半導體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。

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當前,全球半導體產業(yè)正處于深度變革,化合物半導體成為產業(yè)發(fā)展新的關注點,我國應加緊產業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動權。


集成電路產業(yè)深刻變革驅動化合物半導體市場發(fā)展。一是集成電路產業(yè)遵循“摩爾定律”演進趨緩,以新材料、新結構以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經驅動集成電路市場高速增長的PC和智能手機市場疲軟,未來5G和物聯網將成為新風口。三是全球能源和環(huán)境危機突出,能源利用趨向低功耗和精細管理。化合物半導體作為新材料和新器件,在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類硅器件所不具備的優(yōu)異性能,將在以上應用領域得到廣泛應用。


國內外圍繞化合物半導體的并購案頻發(fā)。近年來,國際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導體展開并購,功率半導體領導者德國英飛凌公司以30億美元收購美國國際整流器公司(IR),取得了其硅基GaN功率半導體制造技術;同年9月,設計和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國內企業(yè)和資本也圍繞化合物半導體產業(yè)展開收購。


國家“大基金”投資三安光電布局化合物半導體。國家集成電路產業(yè)投資基金(“大基金”)投資48.39億元入股三安光電,推動三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造,開展境內外并購、新技術研發(fā)、新建生產線等業(yè)務。同時,國家開發(fā)銀行也以最優(yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。



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